La Sicilia come punto di riferimento per realizzare la transizione verso l’elettrificazione sia in ambito industriale che automotive. È questa la scelta di STMicroelectronics, leader globale nei semiconduttori con clienti in tutti i settori applicativi dell’elettronica, che ha annunciato la sua decisione di investire 730 milioni di euro in cinque anni per la realizzazione di un impianto integrato per la produzione di substrati in carburo di silicio (SiC) in Italia per supportare la domanda crescente di dispositivi SiC per applicazioni automotive e industriali da parte dei clienti ST.
Primo nel suo genere in Europa per la produzione in volumi di substrati epitassiali in SiC da 150 mm, l’impianto sarà costruito nel sito ST di Catania (accanto allo stabilimento esistente che produce dispositivi in SiC) e integrerà tutti i passaggi del flusso produttivo. Anche in considerazione del fatto che la società è impegnata a sviluppare substrati da 200 mm nel prossimo futuro.
“ST sta trasformando le sue attività produttive globali, con una capacità addizionale nella produzione a 300 mm e una forte focalizzazione sui semiconduttori a larga banda interdetta, a sostegno della sua ambizione di raggiungere i 20 e oltre miliardi di dollari di ricavi”, ha dichiarato in una nota ufficiale Jean-Marc Chery, presidente e ceo di STMicroelectronics. “Stiamo ampliando le nostre attività operative a Catania, il centro delle nostre competenze nei semiconduttori di potenza e dove abbiamo già integrato attività di ricerca, sviluppo e produzione per il SiC in stretta collaborazione con istituti di ricerca italiani, università e fornitori. Questo nuovo impianto sarà fondamentale per la nostra integrazione verticale nel SiC, ampliando la nostra fornitura di substrati in SiC in una fase in cui aumenteremo ulteriormente i volumi per sostenere la transizione da parte dei nostri clienti
