Samsung Semiconductor presenta la nuova tecnologia di memoria DRAM LLW
Samsung Semiconductor ha annunciato oggi una nuova tecnologia di memoria DRAM chiamata LLW (Low Latency Wide IO). Questa innovazione è stata progettata per ridurre la latenza tra la CPU e la memoria, rendendola particolarmente adatta per le applicazioni di intelligenza artificiale (AI) e di gioco.
La DRAM LLW offre una latenza di soli 15 nanosecondi, che è significativamente inferiore rispetto alla DRAM tradizionale. Questo è particolarmente importante per le applicazioni AI, che richiedono un accesso rapido ai dati. Inoltre, la DRAM LLW è progettata per fornire una larghezza di banda più ampia, consentendo il trasferimento di una maggiore quantità di dati in una sola volta. Ciò può migliorare le prestazioni delle applicazioni
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